內部集成 700V 高壓 MOSFET
集成高壓啟動和自供電電路
低待機功耗，<50mW@230VAC 輔助繞組供電，<150mW@230VAC 高壓自供電
優異的動態響應速度，無輸出過沖
內置軟啟動功能
改善 EMI性能的頻率調制技術
高低壓腳之間爬電距離>3mm (DIP-7 封裝)
通過 MOSFET 源極 PCB 散熱，不影響 EMI
保護功能
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